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Advanced Photonix 200-11-31-241
SENSOR PHOTODIODE 660NM TO8
- उत्पादक मॉडल :200-11-31-241
- उत्पादक :Advanced Photonix
- Dasenic मॉडल :200-11-31-241-DS
- दस्तावेज़ :
200-11-31-241 दस्तावेज़
- वर्णन : SENSOR PHOTODIODE 660NM TO8
- पैकिंग :-
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Advanced Photonix 200-11-31-241 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Sensor Devices/Optical Sensors - Photodiodes
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-40°C ~ 125°C
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
पैकेज / केस:-
प्रतिक्रिया समय:8ns
डायोड प्रकार:Pin
वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):75 V
वेवलेंथ:660nm
देखने का दृष्टिकोण:95°
रंग - उन्नत:Red
वर्णक्रमीय श्रेणी:350nm ~ 1100nm
प्रतिक्रियाशीलता @ एनएम:0.55 A/W @ 900nm
वर्तमान - डार्क (टाइप):50nA
सक्रिय क्षेत्र:20.27mm²
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:REACH is not affected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Advanced Photonix 200-11-31-241
ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में 30 से अधिक वर्षों के संयुक्त अनुभव और भारत और मलेशिया में दो विश्व स्तरीय विनिर्माण सुविधाओं के साथ, हम उच्च मात्रा में उत्पादन आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए कुशल विनिर्माण के साथ संरेखित उत्कृष्ट इंजीनियरिंग समाधान प्रस्तुत करना जारी रखते हैं। संयुक्त राज्य अमेरिका में मानक और कस्टम फोटोडायोड और ऑप्टिकल सेंसर के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक के रूप में, हम इंजीनियरिंग डिज़ाइन सहायता और विनिर्माण क्षमताएँ प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैं लेकिन इन तक सीमित नहीं हैं: वाणिज्यिक और सैन्य मानक, एक्स-रे उत्पाद ऑप्टो असेंबली, चिकित्सा उत्पाद, दूरसंचार और डेटा-कॉम अनुप्रयोग, पीसीबी असेंबली, सब-सिस्टम असेंबली, पूर्ण सिस्टम असेंबली।
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