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DNmicron TPM2860C-02
RF SCHOTTKY BARRIER DIODE. RF DE
उत्पादक मॉडल :TPM2860C-02
उत्पादक :DNmicron
Dasenic मॉडल :TPM2860C-02-DS
दस्तावेज़ :
TPM2860C-02 दस्तावेज़
TPM2860C-02 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : RF SCHOTTKY BARRIER DIODE. RF DE
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 1.0800 | $ 1.08 |
| 10+ | $ 0.6777 | $ 6.78 |
| 25+ | $ 1.0800 | $ 27 |
| 100+ | $ 0.4484 | $ 44.84 |
| 250+ | $ 0.3888 | $ 97.2 |
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TPM2860C-02 सूचना
DNmicron TPM2860C-02 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - RF
- उत्पाद स्थिति:Active
- पैकेज / केस:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SOT-23
- डायोड प्रकार:Schottky
- धारिता @ Vr, F:0.28pF @ 0V, 1MHz
- आधार उत्पाद संख्या:TPM2860
- पैकेजिंग:Tape & Reel (TR)
- पैकेजिंग:Cut Tape (CT)
- पैकेजिंग:Dasenic-Reel®
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.10.0070
- पहुंच स्थिति:REACH is not affected
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TPM2860C-02 द्वारा उपलब्ध कराया गया DNmicron
2018 में स्थापित, DNmicron (बीजिंग) कंपनी लिमिटेड एक उच्च तकनीक उद्यम है जो पावर सेमीकंडक्टर उत्पादों की लाइन के अनुसंधान एवं विकास, उत्पादन, बिक्री और सेवा को एकीकृत करता है। कंपनी में पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में नवाचार और व्यवसाय निर्माण के सिद्ध ट्रैक रिकॉर्ड वाली एक टीम शामिल है, और तीसरी पीढ़ी के GaN चिप्स के डिजाइन और निर्माण पर ध्यान केंद्रित करती है। संचालन टीम देश और विदेश के वरिष्ठ उद्योग विशेषज्ञों से बनी है, जिन्होंने तीसरी पीढ़ी के GaN पावर चिप्स के क्षेत्र में दस साल से अधिक का R&D अनुभव अर्जित किया है और एक गहरी पेशेवर तकनीकी पृष्ठभूमि द्वारा समर्थित हैं।
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