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Flip Electronics NSVBA114EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
उत्पादक मॉडल :NSVBA114EDXV6T1G
उत्पादक :Flip Electronics
Dasenic मॉडल :NSVBA114EDXV6T1G-DS
दस्तावेज़ :
NSVBA114EDXV6T1G दस्तावेज़
NSVBA114EDXV6T1G दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 0.0533 | $ 0.05 |
| 25+ | $ 0.0522 | $ 1.31 |
| 100+ | $ 0.0500 | $ 5 |
| 500+ | $ 0.0480 | $ 24 |
| 1000+ | $ 0.0453 | $ 45.3 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 40482
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पैकिंग :-
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मापक :$ 0.0533
कुल :$ 0.05
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NSVBA114EDXV6T1G सूचना
Flip Electronics NSVBA114EDXV6T1G तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- उत्पाद स्थिति:Active
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:SOT-563, SOT-666
- शक्ति - अधिकतम:500mW
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SOT-563
- ट्रांजिस्टर प्रकार:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- करंट - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):100mA
- वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):50V
- Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
- वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):500nA
- डीसी करंट गेन (h F E) (न्यूनतम) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
- आवृत्ति - संक्रमण:-
- प्रतिरोधक - आधार ( R1):10kOhms
- प्रतिरोधक - उत्सर्जक आधार ( R2):10kOhms
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.21.0095
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NSVBA114EDXV6T1G द्वारा उपलब्ध कराया गया Flip Electronics
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