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Flip Electronics NVMFS5830NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
उत्पादक मॉडल :NVMFS5830NLWFT1G
उत्पादक :Flip Electronics
Dasenic मॉडल :NVMFS5830NLWFT1G-DS
दस्तावेज़ :
NVMFS5830NLWFT1G दस्तावेज़
NVMFS5830NLWFT1G दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 1.1948 | $ 11.95 |
| 1500+ | $ 0.7965 | $ 1194.75 |
| 3000+ | $ 0.7785 | $ 2335.5 |
| 4500+ | $ 0.7605 | $ 3422.25 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 9000
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 1.1948
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NVMFS5830NLWFT1G सूचना
Flip Electronics NVMFS5830NLWFT1G तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN, 5 Leads
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 消費電力（最大）:3.8W (Ta), 158W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:29A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.3mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:113 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5880 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NVMFS5830NLWFT1G द्वारा उपलब्ध कराया गया Flip Electronics
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