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Flip Electronics NVMFS5C430NT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
उत्पादक मॉडल :NVMFS5C430NT1G
उत्पादक :Flip Electronics
Dasenic मॉडल :NVMFS5C430NT1G-DS
दस्तावेज़ :
NVMFS5C430NT1G दस्तावेज़
NVMFS5C430NT1G दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 40V 5DFN
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 13+ | $ 0.4156 | $ 5.4 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 7200
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.4156
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NVMFS5C430NT1G सूचना
Flip Electronics NVMFS5C430NT1G तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- उत्पाद स्थिति:Discontinued at Digi-Key
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:8-PowerTDFN, 5 Leads
- तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- शक्ति अपव्यय (अधिकतम):3.8W (Ta), 106W (Tc)
- एफईटी प्रकार:N-Channel
- एफईटी सुविधा:-
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):40 V
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:185A (Tc)
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:1.7mOhm @ 50A, 10V
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:3.5V @ 250µA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:47 nC @ 10 V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:3300 pF @ 25 V
- ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):10V
- वीजीएस (अधिकतम):±20V
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
- यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NVMFS5C430NT1G द्वारा उपलब्ध कराया गया Flip Electronics
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