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Flip Electronics NVMFSW6D1N08HT1G
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
उत्पादक मॉडल :NVMFSW6D1N08HT1G
उत्पादक :Flip Electronics
Dasenic मॉडल :NVMFSW6D1N08HT1G-DS
दस्तावेज़ :
NVMFSW6D1N08HT1G दस्तावेज़
NVMFSW6D1N08HT1G दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 3.3000 | $ 3.3 |
| 10+ | $ 2.2340 | $ 22.34 |
| 100+ | $ 3.3000 | $ 330 |
| 500+ | $ 1.2844 | $ 642.2 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 2228
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 3.3
कुल :$ 3.30
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NVMFSW6D1N08HT1G सूचना
Flip Electronics NVMFSW6D1N08HT1G तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:8-PowerTDFN, 5 Leads
- तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- शक्ति अपव्यय (अधिकतम):3.8W (Ta), 104W (Tc)
- एफईटी प्रकार:N-Channel
- एफईटी सुविधा:-
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):80 V
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:17A (Ta), 89A (Tc)
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:5.5mOhm @ 20A, 10V
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:4V @ 120µA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:32 nC @ 10 V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:2085 pF @ 40 V
- ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):10V
- वीजीएस (अधिकतम):±20V
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.29.0095
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NVMFSW6D1N08HT1G द्वारा उपलब्ध कराया गया Flip Electronics
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