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  • GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N

    SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
  • part number has RoHS
  • उत्पादक मॉडल :G3R20MT12N
  • उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic मॉडल :G3R20MT12N-DS
  • दस्तावेज़ :pdf download G3R20MT12N दस्तावेज़
  • वर्णन : SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
  • पैकिंग :-
  • मात्रा :
    मापक : $ 22.775कुल : $ 22.77
  • प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
  • शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
  • वितरण :
    dhlupsfedex
  • भुगतान :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
स्पॉट इन्वेंट्री: 1831
( MOQ : 1 PCS )
मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रामापककुल
3 +$ 22.7750$ 68.33
5 +$ 21.9823$ 109.91

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GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
पैकेज / केस:SOT-227-4, miniBLOC
तकनीकी:SiCFET (Silicon Carbide)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SOT-227
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):365W (Tc)
एफईटी प्रकार:N-Channel
एफईटी सुविधा:-
ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):1200 V
वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:105A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:24mOhm @ 60A, 15V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.69V @ 15mA
गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:219 nC @ 15 V
इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:5873 pF @ 800 V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):15V
वीजीएस (अधिकतम):+20V, -10V
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8541.29.0095
पहुंच स्थिति:REACH is not affected
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N
GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।
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