
आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं
1 : $1.3230
$2,000 से अधिक के ऑर्डर के साथ पहली बार पंजीकरण करने पर $100 का कूपन मिलता है। अब रेजिस्टर करें !
GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
- उत्पादक मॉडल :G3R350MT12J
- उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic मॉडल :G3R350MT12J-DS
- दस्तावेज़ :
G3R350MT12J दस्तावेज़
- वर्णन : SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
- पैकिंग :-
- मात्रा :मापक : $ 1.323कुल : $ 1.32
- प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
- शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
- वितरण :
- भुगतान :
स्पॉट इन्वेंट्री: 6000
( MOQ : 1 PCS )मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रा | मापक | कुल |
1 + | $ 1.3230 | $ 1.32 |
10 + | $ 1.3230 | $ 13.23 |
25 + | $ 1.3230 | $ 33.08 |
50 + | $ 1.3230 | $ 66.15 |
100 + | $ 1.3230 | $ 132.30 |
कोट अनुरोध करें
अपनी लागत और समय बचाने में आपकी सहायता करें
सख्त गुणवत्ता निरीक्षण और माल के लिए विश्वसनीय पैकेज
समय बचाने के लिए तेज़ विश्वसनीय डिलीवरी
बिक्री के बाद 365 दिनों की वारंटी सेवा प्रदान करें
GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
तकनीकी:SiCFET (Silicon Carbide)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-263-7
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):75W (Tc)
एफईटी प्रकार:N-Channel
एफईटी सुविधा:-
ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):1200 V
वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:11A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:420mOhm @ 4A, 15V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.69V @ 2mA
गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:12 nC @ 15 V
इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:334 pF @ 800 V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):15V
वीजीएस (अधिकतम):±15V
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:REACH is not affected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।
GeneSiC Semiconductor संबंधित उत्पाद सिफारिशें
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
G3R350MT12J एक ही प्रकार के उत्पाद
रेटिंग और समीक्षाएं
रेटिंग
कृपया उत्पाद को रेटिंग दें!
कृपया अपने खाते में लॉग इन करने के बाद टिप्पणियाँ सबमिट करें।