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GeneSiC Semiconductor GA080TH65-227SP

Name: GA080TH65-227SP
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA080TH65-227SP-DS
Price: 6000.0000 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

स्पॉट इन्वेंट्री: 2719

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उत्पादक मॉडल :GA080TH65-227SP
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :GA080TH65-227SP-DS
दस्तावेज़ : GA080TH65-227SP दस्तावेज़ PDF
वर्णन : MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
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GeneSiC Semiconductor GA080TH65-227SP तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - SCRs - Modules

उत्पाद स्थिति:Active

परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount

पैकेज / केस:Module

संरचना:Single

वर्तमान - होल्ड ( Ih) (अधिकतम):-

वोल्टेज - ऑफ स्टेट:6.5 kV

एससीआर, डायोड की संख्या:1 SCR

वर्तमान - चालू अवस्था (आईटी ( A V)) (अधिकतम):80 A

वर्तमान - चालू अवस्था (आईटी (आरएमएस)) (अधिकतम):139 A

वोल्टेज - गेट ट्रिगर ( Vgt) (अधिकतम):-

वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम):100 mA

वर्तमान - गैर प्रतिनिधि सर्ज 50, 60 हर्ट्ज (आईटीएसएम):-

ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant

पहुंच स्थिति:REACH is not affected

यूएस ईसीसीएन:EAR99

चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

GA080TH65-227SP GeneSiC Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया

GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।