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GeneSiC Semiconductor GA100SCPL12-227E

Name: GA100SCPL12-227E
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA100SCPL12-227E-DS
Price: 357.5000 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

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उत्पादक मॉडल :GA100SCPL12-227E
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :GA100SCPL12-227E-DS
दस्तावेज़ : GA100SCPL12-227E दस्तावेज़ PDF
वर्णन : SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
पैकिंग :-
यूनिट मूल्यं: $357.5000
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GeneSiC Semiconductor GA100SCPL12-227E तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

उत्पाद स्थिति:Obsolete

परिचालन तापमान:-

माउन्टिंग का प्रकार:-

पैकेज / केस:-

शक्ति - अधिकतम:-

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:-

एफईटी प्रकार:-

एफईटी सुविधा:-

ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):-

वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:-

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:-

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:-

गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:-

इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:-

ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant

पहुंच स्थिति:Vendor is not defined

यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements

चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया

GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।