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GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247
SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
- उत्पादक मॉडल :GA10SICP12-247
- उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic मॉडल :GA10SICP12-247-DS
- दस्तावेज़ :
GA10SICP12-247 दस्तावेज़
- वर्णन : SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
- पैकिंग :-
- मात्रा :मापक : $ 58.65कुल : $ 58.65
- प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
- शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
- वितरण :
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स्पॉट इन्वेंट्री: 1532
( MOQ : 1 PCS )मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रा | मापक | कुल |
10 + | $ 58.6500 | $ 586.50 |
510 + | $ 48.8750 | $ 24926.25 |
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GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Power Driver Modules
उत्पाद स्थिति:Obsolete
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
पैकेज / केस:TO-247-3
प्रकार:-
विन्यास:-
वोल्टेज:1.2 kV
मौजूदा:10 A
वोल्टेज - अलगाव:-
एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8541.29.0095
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247
GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।
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