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GeneSiC Semiconductor GBJ10B
स्पॉट इन्वेंट्री: 1977
MOQ: 1
4 मूल्य स्तर
- उत्पादक मॉडल :GBJ10B
- उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic मॉडल :GBJ10B-DS
- दस्तावेज़ : GBJ10B दस्तावेज़ PDF
- वर्णन : 100V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
- पैकिंग :-
- यूनिट मूल्यं: $0.5850कुल: $0.58
मात्रा | यूनिट मूल्यं | सहेजें |
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1-1 | $0.5850 | - |
2-5 | $0.2916 | 50.2% सहेजें |
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GeneSiC Semiconductor GBJ10B तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
पैकेज / केस:4-SIP, GBJ
तकनीकी:Standard
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:GBJ
डायोड प्रकार:Single Phase
वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम):100 V
वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):10 A
वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.05 V @ 5 A
वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:10 µA @ 100 V
आधार उत्पाद संख्या:GBJ10
पैकेजिंग:Bulk
ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8541.10.0080
पहुंच स्थिति:REACH is not affected
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBJ10B GeneSiC Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया
GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।
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Great Product
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Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
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