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GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N
650V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
उत्पादक मॉडल :GD2X100MPS06N
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :GD2X100MPS06N-DS
दस्तावेज़ :
GD2X100MPS06N दस्तावेज़
GD2X100MPS06N दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : 650V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 43.1190 | $ 43.12 |
| 10+ | $ 39.5730 | $ 395.73 |
| 25+ | $ 43.1190 | $ 1077.98 |
| 100+ | $ 36.3150 | $ 3631.5 |
| 250+ | $ 35.1002 | $ 8775.05 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 3840
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 43.119
कुल :$ 43.12
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GD2X100MPS06N सूचना
GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 100 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 650 V
- ダイオード構成:2 Independent
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):108A (DC)
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GD2X100MPS06N द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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