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GeneSiC Semiconductor GKR26/08

DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :GKR26/08
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :GKR26/08-DS
दस्तावेज़ :pdf download GKR26/08 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
स्पॉट इन्वेंट्री: 85
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0
कुल :$ 0.00
वितरण :
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GKR26/08 सूचना

  • GeneSiC Semiconductor GKR26/08 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
  • パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DO-4
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):25A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.55 V @ 60 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:4 mA @ 800 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:-
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):800 V
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 180°C
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GKR26/08 द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor संबंधित उत्पादक

हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।

अनुक्रमणिका: 0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
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