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GeneSiC Semiconductor KBPM210G

Name: KBPM210G
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: KBPM210G-DS
Price: 1.0613 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

स्पॉट इन्वेंट्री: 1841

MOQ: 1

2 मूल्य स्तर

उत्पादक मॉडल :KBPM210G
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :KBPM210G-DS
दस्तावेज़ : KBPM210G दस्तावेज़ PDF
वर्णन : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
पैकिंग :-
यूनिट मूल्यं: $1.0613
कुल: $1.06

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GeneSiC Semiconductor KBPM210G तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers

उत्पाद स्थिति:Obsolete

परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole

पैकेज / केस:4-SIP, KBPM

तकनीकी:Standard

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:KBPM

डायोड प्रकार:Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम):1 kV

वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):2 A

वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.1 V @ 2 A

वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:5 µA @ 50 V

एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

पहुंच स्थिति:REACH Unaffected

यूएस ईसीसीएन:EAR99

एचटीएस यूएस:8541.10.0080

ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant

चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

KBPM210G GeneSiC Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया

GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।