1 / 1

1 : $110.9600

$2,000 से अधिक के ऑर्डर के साथ पहली बार पंजीकरण करने पर $100 का कूपन मिलता है। अब रेजिस्टर करें !

GeneSiC Semiconductor MBR2X100A180

Name: MBR2X100A180
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: MBR2X100A180-DS
Price: 110.9600 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

स्पॉट इन्वेंट्री: 551

MOQ: 1

5 मूल्य स्तर

उत्पादक मॉडल :MBR2X100A180
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :MBR2X100A180-DS
दस्तावेज़ : MBR2X100A180 दस्तावेज़ PDF
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
पैकिंग :-
यूनिट मूल्यं: $110.9600
कुल: $110.96

मात्रा	यूनिट मूल्यं	सहेजें
1-1	$110.9600	-
2-10	$96.4280	-
11-25	$91.1904	-
26-50	$87.4184	-
51-100	$83.8004	-

अपनी लागत और समय बचाने में आपकी सहायता करें

सख्त गुणवत्ता निरीक्षण और माल के लिए विश्वसनीय पैकेज

समय बचाने के लिए तेज़ विश्वसनीय डिलीवरी

बिक्री के बाद 365 दिनों की वारंटी सेवा प्रदान करें

GeneSiC Semiconductor MBR2X100A180 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

उत्पाद स्थिति:Active

माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount

पैकेज / केस:SOT-227-4, miniBLOC

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SOT-227

रफ़्तार:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

डायोड प्रकार:Schottky

वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:920 mV @ 100 A

वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:3 mA @ 180 V

डायोड विन्यास:2 Independent

वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):180 V

धारा - औसत दिष्टकारी ( Io) (प्रति डायोड):100A

रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):-

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-40°C ~ 150°C

ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant

एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

यूएस ईसीसीएन:EAR99

एचटीएस यूएस:8541.10.0080

पहुंच स्थिति:REACH is not affected

चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

MBR2X100A180 GeneSiC Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया

GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।