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GeneSiC Semiconductor MBRF60035

Name: MBRF60035
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: MBRF60035-DS
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

स्पॉट इन्वेंट्री: 1266

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उत्पादक मॉडल :MBRF60035
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :MBRF60035-DS
दस्तावेज़ : MBRF60035 दस्तावेज़ PDF
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 35V 300A TO244AB
पैकिंग :-
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GeneSiC Semiconductor MBRF60035 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

उत्पाद स्थिति:Obsolete

माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount

पैकेज / केस:TO-244AB

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-244AB

रफ़्तार:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

डायोड प्रकार:Schottky

वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:650 mV @ 300 A

वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:10 mA @ 20 V

डायोड विन्यास:1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):35 V

धारा - औसत दिष्टकारी ( Io) (प्रति डायोड):300A (DC)

रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):-

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-40°C ~ 175°C

ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant

पहुंच स्थिति:Vendor is not defined

यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements

चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

MBRF60035 GeneSiC Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया

GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।