आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं
1 : $0.0000
$2,000 से अधिक के ऑर्डर के साथ पहली बार पंजीकरण करने पर $100 का कूपन मिलता है। अब रेजिस्टर करें !
GeneSiC Semiconductor MBRTA40030RL
DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER
उत्पादक मॉडल :MBRTA40030RL
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :MBRTA40030RL-DS
दस्तावेज़ :
MBRTA40030RL दस्तावेज़
MBRTA40030RL दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
स्पॉट इन्वेंट्री: 34
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0
कुल :$ 0.00
वितरण :
भुगतान :
अपनी लागत और समय बचाने में आपकी सहायता करें
सख्त गुणवत्ता निरीक्षण और माल के लिए विश्वसनीय पैकेज
समय बचाने के लिए तेज़ विश्वसनीय डिलीवरी
बिक्री के बाद 365 दिनों की वारंटी सेवा प्रदान करें
MBRTA40030RL सूचना
GeneSiC Semiconductor MBRTA40030RL तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
- पैकेज / केस:Three Tower
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Three Tower
- रफ़्तार:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- डायोड प्रकार:Schottky
- वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:580 mV @ 200 A
- वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:3 mA @ 30 V
- डायोड विन्यास:1 Pair Common Anode
- वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):30 V
- धारा - औसत दिष्टकारी ( Io) (प्रति डायोड):200A
- रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):-
- ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 150°C
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.10.0080
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBRTA40030RL द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।
GeneSiC Semiconductor संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
