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GeneSiC Semiconductor MBRTA60035

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :MBRTA60035
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :MBRTA60035-DS
दस्तावेज़ :pdf download MBRTA60035 दस्तावेज़
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वर्णन : DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
स्पॉट इन्वेंट्री: 51
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0
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वितरण :
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MBRTA60035 सूचना

  • GeneSiC Semiconductor MBRTA60035 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Three Tower
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Schottky
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:700 mV @ 300 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1 mA @ 35 V
  • ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):35 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):300A
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBRTA60035 द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor संबंधित उत्पादक

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अनुक्रमणिका: 0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
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