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GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A)D
स्पॉट इन्वेंट्री: 510
MOQ: 1
1 मूल्य स्तर
- उत्पादक मॉडल :MSRT200160(A)D
- उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic मॉडल :MSRT200160(A)D-DS
- दस्तावेज़ : MSRT200160(A)D दस्तावेज़ PDF
- वर्णन : DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
- पैकिंग :-
- यूनिट मूल्यं: $183.6200कुल: $183.62
मात्रा | यूनिट मूल्यं | सहेजें |
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1-40 | $183.6200 | - |
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GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A)D तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
उत्पाद स्थिति:Active
माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
पैकेज / केस:Three Tower
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Three Tower
रफ़्तार:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
डायोड प्रकार:Standard
वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.1 V @ 200 A
वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:10 µA @ 1600 V
डायोड विन्यास:1 Pair Series Connection
वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1600 V
धारा - औसत दिष्टकारी ( Io) (प्रति डायोड):200A
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):-
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 150°C
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:REACH is not affected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MSRT200160(A)D GeneSiC Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया
GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।
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Great Product
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