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Global Power Technology-GPT G3S12006B

Name: G3S12006B
Brand: Global Power Technology-GPT
SKU: G3S12006B-DS
Price: 19.1400 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

स्पॉट इन्वेंट्री: 2749

MOQ: 1

2 मूल्य स्तर

उत्पादक मॉडल :G3S12006B
उत्पादक :Global Power Technology-GPT
Dasenic मॉडल :G3S12006B-DS
दस्तावेज़ : G3S12006B दस्तावेज़ PDF
वर्णन : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI
पैकिंग :-
यूनिट मूल्यं: $19.1400
कुल: $19.14

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Global Power Technology-GPT G3S12006B तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

उत्पाद स्थिति:Active

माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole

पैकेज / केस:TO-247-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-247AB

रफ़्तार:No Recovery Time > 500mA (Io)

डायोड प्रकार:Silicon Carbide Schottky

वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.7 V @ 3 A

वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:100 µA @ 1200 V

डायोड विन्यास:1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1200 V

धारा - औसत दिष्टकारी ( Io) (प्रति डायोड):14A (DC)

रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):0 ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 175°C

ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant

पहुंच स्थिति:REACH is not affected

यूएस ईसीसीएन:EAR99

चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G3S12006B Global Power Technology-GPT द्वारा प्रदान किया गया

ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड (GPT) चीन के सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर डिवाइस के औद्योगिकीकरण में अग्रणी कंपनियों में से एक है। चीन में पहली SiC पावर डिवाइस निर्माता के रूप में जानी जाने वाली GPT बीजिंग में स्थित एक पूर्ण सेमीकंडक्टर फैब की मालिक है। उत्पादन लाइन 4/6-इंच वेफर फैब्रिकेशन के साथ संगत है। पहली घरेलू SiC डिवाइस R&D और उत्पादन प्लेटफ़ॉर्म सेवा कंपनी के रूप में, GPT की उत्पादन लाइन में बुनियादी कोर प्रौद्योगिकी उत्पाद, SIC मोल्डिंग उत्पाद और कई औद्योगिक समाधान शामिल हैं। कंपनी के मुख्य उत्पादों का प्रतिनिधित्व SiC शॉटकी डायोड द्वारा किया जाता है। सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी डायोड उत्पादों की श्रृंखला को बड़े पैमाने पर उत्पादन में डाल दिया गया है, उत्पादों की गुणवत्ता की तुलना दुनिया में उसी उद्योग के उन्नत स्तर से की जा सकती है।