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Global Power Technology-GPT G4S12010PM
स्पॉट इन्वेंट्री: 5940
MOQ: 1
1 मूल्य स्तर
- उत्पादक मॉडल :G4S12010PM
- उत्पादक :Global Power Technology-GPT
- Dasenic मॉडल :G4S12010PM-DS
- दस्तावेज़ : G4S12010PM दस्तावेज़ PDF
- वर्णन : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
- पैकिंग :-
- यूनिट मूल्यं: $8.1450कुल: $8.14
मात्रा | यूनिट मूल्यं | सहेजें |
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Global Power Technology-GPT G4S12010PM तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
उत्पाद स्थिति:Active
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
पैकेज / केस:TO-247-2
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-247AC
रफ़्तार:No Recovery Time > 500mA (Io)
डायोड प्रकार:Silicon Carbide Schottky
वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):33.2A (DC)
वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:-
वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:30 µA @ 1700 V
धारिता @ Vr, F:-
वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1200 V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):0 ns
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 175°C
एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
पहुंच स्थिति:REACH info available upon request
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8541.10.0080
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G4S12010PM Global Power Technology-GPT द्वारा प्रदान किया गया
ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड (GPT) चीन के सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर डिवाइस के औद्योगिकीकरण में अग्रणी कंपनियों में से एक है। चीन में पहली SiC पावर डिवाइस निर्माता के रूप में जानी जाने वाली GPT बीजिंग में स्थित एक पूर्ण सेमीकंडक्टर फैब की मालिक है। उत्पादन लाइन 4/6-इंच वेफर फैब्रिकेशन के साथ संगत है। पहली घरेलू SiC डिवाइस R&D और उत्पादन प्लेटफ़ॉर्म सेवा कंपनी के रूप में, GPT की उत्पादन लाइन में बुनियादी कोर प्रौद्योगिकी उत्पाद, SIC मोल्डिंग उत्पाद और कई औद्योगिक समाधान शामिल हैं। कंपनी के मुख्य उत्पादों का प्रतिनिधित्व SiC शॉटकी डायोड द्वारा किया जाता है। सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी डायोड उत्पादों की श्रृंखला को बड़े पैमाने पर उत्पादन में डाल दिया गया है, उत्पादों की गुणवत्ता की तुलना दुनिया में उसी उद्योग के उन्नत स्तर से की जा सकती है।
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Great Product
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