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  • Global Power Technology-GPT G4S12020P

    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
  • part number has RoHS
  • उत्पादक मॉडल :G4S12020P
  • उत्पादक :Global Power Technology-GPT
  • Dasenic मॉडल :G4S12020P-DS
  • दस्तावेज़ :pdf download G4S12020P दस्तावेज़
  • वर्णन : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
  • पैकिंग :-
  • मात्रा :
    मापक : $ 65.8कुल : $ 65.80
  • प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
  • शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
  • वितरण :
    dhlupsfedex
  • भुगतान :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
स्पॉट इन्वेंट्री: 1788
( MOQ : 1 PCS )
मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रामापककुल
1 +$ 65.8000$ 65.80
10 +$ 58.4780$ 584.78

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Global Power Technology-GPT G4S12020P तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AC
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):64.5A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 20 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:2600pF @ 0V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Global Power Technology-GPT G4S12020P
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォーム サービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキー ダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイド ショットキー ダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。
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