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Five-star Certification

Goford Semiconductor G33N03D3

स्पॉट इन्वेंट्री: 8566
MOQ: 1
4 मूल्य स्तर
  • उत्पादक मॉडल :G33N03D3
  • उत्पादक :Goford Semiconductor
  • Dasenic मॉडल :G33N03D3-DS
  • दस्तावेज़ : G33N03D3 दस्तावेज़ PDF
  • वर्णन : N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
  • पैकिंग :-
  • यूनिट मूल्यं: $0.4606
    कुल: $0.46
मात्रायूनिट मूल्यंसहेजें
1-10$0.4606-
11-5000$0.255944.4% सहेजें
5001-10000$0.238048.3% सहेजें
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Goford Semiconductor G33N03D3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:8-PowerVDFN
शक्ति - अधिकतम:20W (Tc)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-DFN (3x3)
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा:Standard
ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):30V
वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:33A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:12mOhm @ 18A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.1V @ 250µA
गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:17.5nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:1938pF @ 15V
ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
एमएसएल रेटिंग:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8541.29.0095
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G33N03D3 Goford Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया
1995 में अपनी स्थापना के बाद से, गोफोर्ड सेमीकंडक्टर अमेरिका, हांगकांग, ऑस्ट्रेलिया, शेन्ज़ेन और जियांग्सू में कार्यालयों के साथ एक वैश्विक कंपनी के रूप में विकसित हो रही है। हम हमेशा पावर मॉसफ़ेट्स उत्पादों के अनुसंधान और विकास और बिक्री में समर्पित रहे हैं। हम बाजार में लागत प्रभावी उत्पाद प्रदान करने के लिए ऊर्जा दक्षता, गतिशीलता और विश्वसनीयता पर ध्यान केंद्रित करते हैं।

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रेटिंग और समीक्षाएं
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

Accurate product description and arrived earlier than expected.

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