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Infineon Technologies IRD3CH9DB6
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
उत्पादक मॉडल :IRD3CH9DB6
उत्पादक :Infineon Technologies
Dasenic मॉडल :IRD3CH9DB6-DS
दस्तावेज़ :
IRD3CH9DB6 दस्तावेज़
IRD3CH9DB6 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
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IRD3CH9DB6 सूचना
Infineon Technologies IRD3CH9DB6 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:Die
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Die
- रफ़्तार:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- डायोड प्रकार:Standard
- वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):10A
- वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:2.7 V @ 10 A
- वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:200 nA @ 1200 V
- धारिता @ Vr, F:-
- वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1200 V
- रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):154 ns
- ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-40°C ~ 150°C
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.10.0080
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IRD3CH9DB6 द्वारा उपलब्ध कराया गया Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) पावर सिस्टम और IoT में एक वैश्विक सेमीकंडक्टर लीडर है। Infineon अपने उत्पादों और समाधानों के साथ डीकार्बोनाइजेशन और डिजिटलीकरण को बढ़ावा देता है। कंपनी के सेमीकंडक्टर उत्पादों में ASIC, बैटरी प्रबंधन IC, घड़ियाँ और टाइमिंग समाधान, ESD और सर्ज प्रोटेक्शन, मेमोरी माइक्रोकंट्रोलर, RF, सुरक्षा और स्मार्ट कार्ड समाधान, सेंसर, छोटे सिग्नल ट्रांजिस्टर और डायोड, ट्रांसीवर, वायरलेस कनेक्टिविटी, सॉफ़्टवेयर और बहुत कुछ शामिल हैं। इन उत्पादों का उपयोग ऑटोमोटिव, ग्रीन इंडस्ट्रियल पावर, पावर मैनेजमेंट, सेंसिंग समाधान और IoT अनुप्रयोगों में सुरक्षा में किया जाता है। Infineon Technologies की स्थापना 1999 में Siemens AG से अलग होकर की गई थी। कंपनी का मुख्यालय जर्मनी के म्यूनिख के पास न्यूबिबर्ग में है और दुनिया भर में इसके लगभग 56,200 कर्मचारी और 155 स्थान हैं।
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