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Integra Technologies IGN1011L1200
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
उत्पादक मॉडल :IGN1011L1200
उत्पादक :Integra Technologies
Dasenic मॉडल :IGN1011L1200-DS
दस्तावेज़ :
IGN1011L1200 दस्तावेज़
IGN1011L1200 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 1544.1200 | $ 1544.12 |
| 10+ | $ 1523.5760 | $ 15235.76 |
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शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 1544.12
कुल :$ 1544.12
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IGN1011L1200 सूचना
Integra Technologies IGN1011L1200 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- 製品ステータス:Active
- 電圧 - 定格:180 V
- パッケージ/ケース:PL84A1
- 頻度:1.03GHz ~ 1.09GHz
- 定格電流（アンペア）:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:PL84A1
- 電力 - 出力:1250W
- トランジスタタイプ:HEMT
- 得:16.8dB
- 電圧 - テスト:50 V
- ノイズ指数:-
- 現在 - テスト:160 mA
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0075
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IGN1011L1200 द्वारा उपलब्ध कराया गया Integra Technologies
Integra Technologies は、世界中の最高性能のレーダー システム向けに、最先端の RF パワー ソリューションを設計、製造しています。当社の製品には、RF パワー トランジスタ GaN、RF パワー トランジスタ シリコン、50 オーム RF パワー トランジスタ、RF パワー アンプ パレットなどがあります。当社は高性能市場に焦点を当て、航空宇宙および防衛レーダー、航空管制、気象レーダー、航空電子工学、データ リンク、電子戦、医療および産業アプリケーション向けに、既製、セミカスタム、カスタム ソリューションを提供しています。当社は、最先端の高出力プリマッチおよびフルマッチ RF パワー トランジスタと統合 RF パワー アンプ モジュールの完全なセレクションで、現在の UHF から X バンドのレーダー システム アプリケーションをサポートするだけでなく、レガシー プログラムとカスタム設計要件のサポートにも取り組んでいます。
Integra Technologies संबंधित उत्पादक
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