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IXYS DHG100X650NA
POWER DIODE DISC-SONIC SOT-227B
उत्पादक मॉडल :DHG100X650NA
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :DHG100X650NA-DS
दस्तावेज़ :
DHG100X650NA दस्तावेज़
DHG100X650NA दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : POWER DIODE DISC-SONIC SOT-227B
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DHG100X650NA सूचना
IXYS DHG100X650NA तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.26 V @ 125 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:3 mA @ 600 V
- ダイオード構成:2 Independent
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):125A
- 逆回復時間 (trr):80 ns
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG100X650NA द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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