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MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ8.0A
TVS DIODE UP 8VRWM 13.6VC
उत्पादक मॉडल :MSMBJ8.0A
उत्पादक :MDE Semiconductor, Inc.
Dasenic मॉडल :MSMBJ8.0A-DS
दस्तावेज़ :
MSMBJ8.0A दस्तावेज़
MSMBJ8.0A दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : TVS DIODE UP 8VRWM 13.6VC DO-214AA, SMB
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 3.6000 | $ 36 |
| 500+ | $ 3.0000 | $ 1500 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1746
MOQ :1 PCS
पैकिंग :DO-214AA, SMB
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 3.6
कुल :$ 3.60
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MSMBJ8.0A सूचना
MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ8.0A तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Circuit Protection Devices/TVS - Diodes
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:DO-214AA, SMB
- タイプ:Zener
- 周波数に対する静電容量:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:SMB (DO-214AA)
- 一方向チャネル:1
- 電圧 - 逆スタンドオフ（標準）:8V
- 電圧 - 破壊（最小）:8.89V
- 電圧 - クランプ（最大）@ Ipp:13.6V
- 電流 - ピークパルス (10/1000µs):44.2A
- パワー - ピークパルス:600W
- 電力線保護:No
- 双方向チャネル:-
- アプリケーション:General Purpose
MSMBJ8.0A द्वारा उपलब्ध कराया गया MDE Semiconductor, Inc.
MDE Semiconductor, Inc. は、回路保護製品に一心に注力する、革新的で品質志向のデバイス製造業者です。当社の過渡電圧サプレッサ ダイオード製品は、雷、静電放電 (ESD)、核電磁パルス (NEMP)、誘導スイッチングの破壊的な影響から電子システムを保護するために特別に設計されています。すべてのシリコン デバイスは、当社の有名な低リーク ガラス パッシベーション プロセスで製造されており、400 ワットから最大 288,000 ワットの高エネルギー吸収能力を備えています。TVS (過渡電圧サプレッサ ダイオード) 製品に注力している当社は、通信、自動車、コンピューター、産業用電子機器など、幅広い市場をカバーする要件について豊富な知識を持っています。MDE Semiconductor, Inc. は回路保護製品の市場リーダーであり、標準過渡電圧サプレッサ ダイオードの幅広いオプションと高電流 TVS ダイオード、サイリスタ、バリスタをお客様に提供しています。当社の製造施設は ISO 9001:2015 に準拠しています。
MDE Semiconductor, Inc. संबंधित उत्पादक
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