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Central Semiconductor 2N5796

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Central Semiconductor 2N5796 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-78-6 Metal Can
パワー - 最大:600mW
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-78-6
トランジスタタイプ:2 PNP (Dual)
電流 - コレクター ( Ic) (最大):600mA
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):60V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:-
電流 - コレクターカットオフ(最大):-
D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:100 @ 150mA, 10V
周波数 - 遷移:200MHz
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
2N5796 bereitgestellt von Central Semiconductor
Central Semiconductor は、個別半導体に真剣に取り組んでいます。当社の事業は、製造するデバイス、製品の提供、提供するサービスにおいて、常に完璧さを追求することです。さまざまな用途に対応するため、当社の製品は表面実装、スルーホール、ベアダイで提供されています。当社は幅広い標準デバイスを製造していますが、カスタム、特殊、その他のニッチな製品やサービスにも優れています。お客様の声に耳を傾け、業界の変化を監視しながら、当社の製品設計チームは、常に変化するお客様の要件や業界のトレンドを満たす新製品の開発に取り組んでいます。

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

Accurate product description and arrived earlier than expected.

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