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Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
उत्पादक मॉडल :PMFPB8032XP,115
उत्पादक :Nexperia USA Inc.
Dasenic मॉडल :PMFPB8032XP,115-DS
दस्तावेज़ :
PMFPB8032XP,115 दस्तावेज़
PMFPB8032XP,115 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 0.1080 | $ 0.11 |
| 25+ | $ 0.1058 | $ 2.65 |
| 100+ | $ 0.1015 | $ 10.15 |
| 500+ | $ 0.0972 | $ 48.6 |
| 1000+ | $ 0.0918 | $ 91.8 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 35040
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PMFPB8032XP,115 सूचना
Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-UFDFN Exposed Pad
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:6-HUSON (2x2)
- 消費電力（最大）:485mW (Ta), 6.25W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:Schottky Diode (Isolated)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.7A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:102mOhm @ 2.7A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:8.6 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:550 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V
- Vgs (最大):±12V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
PMFPB8032XP,115 द्वारा उपलब्ध कराया गया Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
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