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NTE Electronics Inc. NTE2387
MOSFET N-CHANNEL 800V 4.1A TO220
उत्पादक मॉडल :NTE2387
उत्पादक :NTE Electronics Inc.
Dasenic मॉडल :NTE2387-DS
दस्तावेज़ :
NTE2387 दस्तावेज़
NTE2387 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CHANNEL 800V 4.1A TO220
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 28.7200 | $ 28.72 |
| 5+ | $ 26.1000 | $ 130.5 |
| 25+ | $ 21.5000 | $ 537.5 |
| 50+ | $ 21.1600 | $ 1058 |
| 100+ | $ 20.2000 | $ 2020 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1505
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 28.72
कुल :$ 28.72
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NTE2387 सूचना
NTE Electronics Inc. NTE2387 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- 消費電力（最大）:125W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):800 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4.1A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3Ohm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:78 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1300 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NTE2387 द्वारा उपलब्ध कराया गया NTE Electronics Inc.
1979 年にニュージャージー州で設立された NTE Electronics, Inc は、全製品ラインに 10 種類の半導体を持つ小さな町のサプライヤから、業界最大のアフターマーケット半導体サプライヤに成長しました。現在、当社の製品ラインは 23,000 種類を超えるデバイスで構成されています。2001 年 1 月、NTE は Philips NA の ECG 部門の資産を買収しました。これにより、NTE は、産業、商業、消費者、および MRO 市場にプライベート ラベルのアフターマーケット電子部品を供給する業界リーダーになりました。ニュージャージー州ブルームフィールドにある NTE の 40,000 平方フィートの本社には、世界中の認定販売店ネットワークに電子部品を継続的に供給するために必要なすべてのサービスと在庫が一元化されています。NTE のデバイスは品質テスト済みで、NASA の宇宙プロジェクト、ドイツの自動車、病院/医療用途、および事実上あらゆる種類の消費者製品に使用されています。
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