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Rochester Electronics FDS6688S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
उत्पादक मॉडल :FDS6688S
उत्पादक :Rochester Electronics
Dasenic मॉडल :FDS6688S-DS
दस्तावेज़ :
FDS6688S दस्तावेज़
FDS6688S दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 0.6552 | $ 0.66 |
| 25+ | $ 0.6421 | $ 16.05 |
| 100+ | $ 0.6159 | $ 61.59 |
| 500+ | $ 0.5897 | $ 294.85 |
| 1000+ | $ 0.5569 | $ 556.9 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 30652
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.6552
कुल :$ 0.66
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FDS6688S सूचना
Rochester Electronics FDS6688S तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 消費電力（最大）:2.5W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:16A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:78 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3290 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FDS6688S द्वारा उपलब्ध कराया गया Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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