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Rochester Electronics FQPF18N50V2SDTU
N-CHANNEL POWER MOSFET
उत्पादक मॉडल :FQPF18N50V2SDTU
उत्पादक :Rochester Electronics
Dasenic मॉडल :FQPF18N50V2SDTU-DS
दस्तावेज़ :
FQPF18N50V2SDTU दस्तावेज़
FQPF18N50V2SDTU दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : N-CHANNEL POWER MOSFET
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 1.3950 | $ 1.4 |
| 25+ | $ 1.3680 | $ 34.2 |
| 100+ | $ 1.3050 | $ 130.5 |
| 500+ | $ 1.2510 | $ 625.5 |
| 1000+ | $ 1.1880 | $ 1188 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 14850
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 1.395
कुल :$ 1.40
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FQPF18N50V2SDTU सूचना
Rochester Electronics FQPF18N50V2SDTU तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F-3
- 消費電力（最大）:69W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):500 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:18A (Tj)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:265mOhm @ 9A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:55 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3290 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FQPF18N50V2SDTU द्वारा उपलब्ध कराया गया Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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