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Rochester Electronics IPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
उत्पादक मॉडल :IPI084N06L3GXKSA1
उत्पादक :Rochester Electronics
Dasenic मॉडल :IPI084N06L3GXKSA1-DS
दस्तावेज़ :
IPI084N06L3GXKSA1 दस्तावेज़
IPI084N06L3GXKSA1 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 0.4377 | $ 0.44 |
| 25+ | $ 0.4289 | $ 10.72 |
| 100+ | $ 0.4114 | $ 41.14 |
| 500+ | $ 0.3939 | $ 196.95 |
| 1000+ | $ 0.3721 | $ 372.1 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 38948
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.4377
कुल :$ 0.44
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IPI084N06L3GXKSA1 सूचना
Rochester Electronics IPI084N06L3GXKSA1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO262-3-1
- 消費電力（最大）:79W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:50A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:8.4mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.2V @ 34µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:29 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4900 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IPI084N06L3GXKSA1 द्वारा उपलब्ध कराया गया Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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