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Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
उत्पादक मॉडल :SCT2H12NYTB
उत्पादक :Rohm Semiconductor
Dasenic मॉडल :SCT2H12NYTB-DS
दस्तावेज़ :
SCT2H12NYTB दस्तावेज़
SCT2H12NYTB दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : SICFET N-CH 1700V 4A TO268
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 3.5307 | $ 3.53 |
| 10+ | $ 2.8953 | $ 28.95 |
| 50+ | $ 2.2932 | $ 114.66 |
| 100+ | $ 2.1780 | $ 217.8 |
| 500+ | $ 2.0286 | $ 1014.3 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 6369
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 3.5307
कुल :$ 3.53
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SCT2H12NYTB सूचना
Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268
- 消費電力（最大）:44W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.5Ohm @ 1.1A, 18V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 410µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14 nC @ 18 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:184 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:18V
- Vgs (最大):+22V, -6V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SCT2H12NYTB द्वारा उपलब्ध कराया गया ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
ROHM Semiconductor संबंधित उत्पादक
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