
आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं
1 : $98.7600
$2,000 से अधिक के ऑर्डर के साथ पहली बार पंजीकरण करने पर $100 का कूपन मिलता है। अब रेजिस्टर करें !
SemiQ GHXS030A120S-D1E
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
- उत्पादक मॉडल :GHXS030A120S-D1E
- उत्पादक :SemiQ
- Dasenic मॉडल :GHXS030A120S-D1E-DS
- दस्तावेज़ :
GHXS030A120S-D1E दस्तावेज़
- वर्णन : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
- पैकिंग :-
- मात्रा :मापक : $ 98.76कुल : $ 98.76
- प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
- शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
- वितरण :
- भुगतान :
स्पॉट इन्वेंट्री: 2904
( MOQ : 1 PCS )मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रा | मापक | कुल |
1 + | $ 98.7600 | $ 98.76 |
10 + | $ 74.6120 | $ 746.12 |
100 + | $ 98.7600 | $ 9876.00 |
कोट अनुरोध करें
अपनी लागत और समय बचाने में आपकी सहायता करें
सख्त गुणवत्ता निरीक्षण और माल के लिए विश्वसनीय पैकेज
समय बचाने के लिए तेज़ विश्वसनीय डिलीवरी
बिक्री के बाद 365 दिनों की वारंटी सेवा प्रदान करें
SemiQ GHXS030A120S-D1E तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
पैकेज / केस:SOT-227-4, miniBLOC
तकनीकी:Silicon Carbide Schottky
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SOT-227
डायोड प्रकार:Single Phase
वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम):1.2 kV
वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):30 A
वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.7 V @ 30 A
वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:200 µA @ 1200 V
आधार उत्पाद संख्या:GHXS030
पैकेजिंग:Tube
ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
पहुंच स्थिति:REACH Affected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8541.10.0080
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SemiQ GHXS030A120S-D1E
SemiQ Inc. सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस और सामग्री का एक अमेरिकी आधारित डेवलपर और निर्माता है, जिसमें शामिल हैं: SiC पावर MPS डायोड, SiC मॉड्यूल, SiC पावर MOSFETs, SiC कस्टम मॉड्यूल, SiC बेयर डाई, SiC कस्टम N-टाइप Epi वेफ़र्स, आदि। SemiQ निजी स्वामित्व वाला और आंशिक रूप से कर्मचारी स्वामित्व वाला है। SemiQ (जिसे पहले ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजीज ग्रुप के रूप में जाना जाता था) ने 2012 में दक्षिणी कैलिफोर्निया में अपने मुख्यालय में सिलिकॉन कार्बाइड तकनीकों का विकास करना शुरू किया, जहाँ यह Epi भी विकसित करता है और डिवाइस डिज़ाइन करता है। हाल ही में, SemiQ ने अपने Gen 3 SiC शॉटकी डायोड (मर्ज किए गए PiN शॉटकी प्रकार) को रिलीज़ किया, जिसमें सर्ज करंट, नमी प्रतिरोध और समग्र मजबूती और कठोरता में सुधार शामिल थे। सेमीक्यू उत्पादों को दुनिया भर में ईवी चार्जिंग सिस्टम, इंडक्शन हीटिंग, बिजली आपूर्ति, ईंधन सेल बिजली उत्पादन और सौर इन्वर्टर में इस्तेमाल किया जाता है। इसके अतिरिक्त, सेमीक्यू बिजली रूपांतरण अनुप्रयोग विशेषज्ञता प्रदान करता है और 3.3 किलोवाट, 6.6 किलोवाट और उससे अधिक के इन्वर्टर डिजाइन करने का व्यापक अनुभव रखता है। सेमीक्यू की विनिर्माण और इंजीनियरिंग सुविधाएं लेक फॉरेस्ट, कैलिफोर्निया में स्थित हैं। कंपनी के पास पूरी तरह से रिडंडेंट SiC आपूर्ति श्रृंखला है।
SemiQ संबंधित उत्पाद सिफारिशें
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
GHXS030A120S-D1E एक ही प्रकार के उत्पाद
रेटिंग और समीक्षाएं
रेटिंग
कृपया उत्पाद को रेटिंग दें!
कृपया अपने खाते में लॉग इन करने के बाद टिप्पणियाँ सबमिट करें।