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SemiQ GSID100A120T2P2

IGBT MOD 1200V 200A 710W
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :GSID100A120T2P2
उत्पादक :SemiQ
Dasenic मॉडल :GSID100A120T2P2-DS
मनपसंदीदा :
वर्णन : IGBT MOD 1200V 200A 710W
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
स्पॉट इन्वेंट्री: 70
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0
कुल :$ 0.00
वितरण :
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भुगतान :
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GSID100A120T2P2 सूचना

  • SemiQ GSID100A120T2P2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 150°C
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Module
  • パワー - 最大:710 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Module
  • 構成:Three Phase Inverter
  • 入力:Three Phase Bridge Rectifier
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):200 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):1 mA
  • I G B Tタイプ:-
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 100A
  • 入力容量 ( Cies) @ Vce:13.7 nF @ 25 V
  • N T Cサーミスタ:Yes
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • REACH規則:REACH Affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GSID100A120T2P2 द्वारा उपलब्ध कराया गया SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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अनुक्रमणिका: 0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
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