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GeneSiC Semiconductor S6M

DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :S6M
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :S6M-DS
दस्तावेज़ :pdf download S6M दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
125+$ 8.3200$ 1040
250+$ 7.9400$ 1985
500+$ 7.5800$ 3790
स्पॉट इन्वेंट्री: 2383
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 8.32
कुल :$ 8.32
वितरण :
dhlupsfedex
भुगतान :
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S6M सूचना

  • GeneSiC Semiconductor S6M तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
  • パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DO-4
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):6A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 6 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 100 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:-
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1000 V
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
S6M द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor संबंधित उत्पादक

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अनुक्रमणिका: 0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
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