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GeneSiC Semiconductor 1N3768R

Name: 1N3768R
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1N3768R-DS
Price: 9.1080 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

स्पॉट इन्वेंट्री: 4206

MOQ: 1

5 मूल्य स्तर

उत्पादक मॉडल :1N3768R
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :1N3768R-DS
दस्तावेज़ : 1N3768R दस्तावेज़ PDF
वर्णन : DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5
पैकिंग :-
यूनिट मूल्यं: $9.1080
कुल: $9.11

मात्रा	यूनिट मूल्यं	सहेजें
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GeneSiC Semiconductor 1N3768R तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single

उत्पाद स्थिति:Active

माउन्टिंग का प्रकार:Chassis, Stud Mount

पैकेज / केस:DO-203AB, DO-5, Stud

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DO-5

रफ़्तार:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

डायोड प्रकार:Standard, Reverse Polarity

वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):35A

वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.2 V @ 35 A

वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:10 µA @ 50 V

धारिता @ Vr, F:-

वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1000 V

रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):-

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-65°C ~ 190°C

ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant

पहुंच स्थिति:REACH is not affected

यूएस ईसीसीएन:EAR99

चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

1N3768R GeneSiC Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया

GeneSiC Semiconductor सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक में अग्रणी और विश्व-नेता है। अग्रणी वैश्विक निर्माता अपने उत्पादों के प्रदर्शन और दक्षता को बढ़ाने के लिए GeneSiC की तकनीक पर निर्भर हैं। GeneSiC के इलेक्ट्रॉनिक घटक ठंडे, तेज़ और अधिक किफायती तरीके से चलते हैं और उच्च-शक्ति प्रणालियों की एक विस्तृत श्रृंखला में ऊर्जा संरक्षण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। GeneSiC के पास वाइड बैंड-गैप पावर डिवाइस तकनीकों पर अग्रणी पेटेंट हैं, एक ऐसा बाज़ार जिसके 2025 तक $5 बिलियन से अधिक तक पहुँचने का अनुमान है। डिज़ाइन, प्रक्रिया और तकनीक की हमारी मुख्य ताकतें हमारे ग्राहकों के अंतिम उत्पाद में अधिक मूल्य जोड़ती हैं, प्रदर्शन और लागत मीट्रिक सिलिकॉन कार्बाइड उद्योग में नए मानक स्थापित करते हैं। अगस्त 2022 में, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ने GeneSiC Semiconductor के अधिग्रहण की घोषणा की।