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Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
उत्पादक मॉडल :GT30N135SRA,S1E
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :GT30N135SRA,S1E-DS
दस्तावेज़ :
GT30N135SRA,S1E दस्तावेज़
GT30N135SRA,S1E दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 4.4010 | $ 4.4 |
| 10+ | $ 2.8647 | $ 28.65 |
| 30+ | $ 4.4010 | $ 132.03 |
| 120+ | $ 1.9610 | $ 235.32 |
| 270+ | $ 1.7704 | $ 478.01 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 11112
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 4.401
कुल :$ 4.40
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GT30N135SRA,S1E सूचना
Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:348 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):60 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1350 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.6V @ 15V, 60A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
- エネルギーの切り替え:-, 1.3mJ (off)
- ゲートチャージ:270 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:300V, 60A, 39Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GT30N135SRA,S1E द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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