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Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
उत्पादक मॉडल :RN1101MFV,L3F
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :RN1101MFV,L3F-DS
दस्तावेज़ :
RN1101MFV,L3F दस्तावेज़
RN1101MFV,L3F दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 0.0862 | $ 0.86 |
| 8000+ | $ 0.0479 | $ 383.2 |
| 16000+ | $ 0.0430 | $ 688 |
| 24000+ | $ 0.0404 | $ 969.6 |
| 40000+ | $ 0.0376 | $ 1504 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 934
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.0862
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RN1101MFV,L3F सूचना
Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-723
- パワー - 最大:150 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:VESM
- トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 500µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:30 @ 10mA, 5V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):4.7 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):4.7 kOhms
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1101MFV,L3F द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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