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Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
उत्पादक मॉडल :RN2131MFV,L3F
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :RN2131MFV,L3F-DS
दस्तावेज़ :
RN2131MFV,L3F दस्तावेज़
RN2131MFV,L3F दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 0.1350 | $ 0.14 |
| 10+ | $ 0.0837 | $ 0.84 |
| 100+ | $ 0.1350 | $ 13.5 |
| 500+ | $ 0.0375 | $ 18.75 |
| 1000+ | $ 0.0329 | $ 32.9 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 9480
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
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मात्रा :
मापक :$ 0.135
कुल :$ 0.14
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RN2131MFV,L3F सूचना
Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV,L3F तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-723
- パワー - 最大:150 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:VESM
- トランジスタタイプ:PNP - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 500µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:120 @ 1mA, 5V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):100 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN2131MFV,L3F द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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