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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
उत्पादक मॉडल :TPC6012(TE85L,F,M)
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :TPC6012(TE85L,F,M)-DS
दस्तावेज़ :
TPC6012(TE85L,F,M) दस्तावेज़
TPC6012(TE85L,F,M) दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 0.8463 | $ 8.46 |
| 3000+ | $ 0.5642 | $ 1692.6 |
| 6000+ | $ 0.5345 | $ 3207 |
| 9000+ | $ 0.4949 | $ 4454.1 |
| 30000+ | $ 0.4870 | $ 14610 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 42
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.8463
कुल :$ 0.85
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TPC6012(TE85L,F,M) सूचना
Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M) तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:VS-6 (2.9x2.8)
- 消費電力（最大）:700mW (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.2V @ 200µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9 nC @ 5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:630 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:2.5V, 4.5V
- Vgs (最大):±12V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPC6012(TE85L,F,M) द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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