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Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B,S1Q

SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :TW070J120B,S1Q
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :TW070J120B,S1Q-DS
दस्तावेज़ :pdf download TW070J120B,S1Q दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
25+$ 40.0000$ 1000
स्पॉट इन्वेंट्री: 750
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 40
कुल :$ 40.00
वितरण :
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भुगतान :
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TW070J120B,S1Q सूचना

  • Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B,S1Q तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • उत्पाद स्थिति:Active
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • पैकेज / केस:TO-3P-3, SC-65-3
  • तकनीकी:SiCFET (Silicon Carbide)
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-3P(N)
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम):272W (Tc)
  • एफईटी प्रकार:N-Channel
  • एफईटी सुविधा:Standard
  • ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):1200 V
  • वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:36A (Tc)
  • आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:90mOhm @ 18A, 20V
  • वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:5.8V @ 20mA
  • गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:67 nC @ 20 V
  • इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:1680 pF @ 800 V
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):20V
  • वीजीएस (अधिकतम):±25V, -10V
  • एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • यूएस ईसीसीएन:EAR99
  • एचटीएस यूएस:8541.29.0095
  • ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
  • पहुंच स्थिति:REACH is not affected
  • चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TW070J120B,S1Q द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
तोशिबा अमेरिका इलेक्ट्रॉनिक कंपोनेंट्स, इंक. (TAEC) तोशिबा का उत्तरी अमेरिका इलेक्ट्रॉनिक कंपोनेंट व्यवसाय है। TAEC ऑटोमोटिव, मल्टीमीडिया, औद्योगिक, दूरसंचार और नेटवर्किंग अनुप्रयोगों के लिए उच्च-स्तरीय माइक्रोकंट्रोलर, ASIC और ASSP सहित एक विस्तृत IC और असतत उत्पाद लाइन प्रदान करता है। कंपनी के पास एंटरप्राइज़ और कंज्यूमर HDD सहित पावर सेमीकंडक्टर समाधानों के साथ-साथ स्टोरेज उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला भी है। TAEC की स्थापना 1989 में हुई थी, जो डिजाइन, निर्माण, विपणन और बिक्री प्रदान करती है, जिसके कार्यालय संयुक्त राज्य अमेरिका और लैटिन अमेरिका में हैं।
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हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।

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