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Vishay SI4501BDY-T1-GE3
उत्पादक मॉडल :SI4501BDY-T1-GE3
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :SI4501BDY-T1-GE3-DS
दस्तावेज़ : SI4501BDY-T1-GE3 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 1785
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
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SI4501BDY-T1-GE3 सूचना
Vishay SI4501BDY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- शक्ति - अधिकतम:4.5W, 3.1W
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SOIC
- एफईटी प्रकार:N and P-Channel, Common Drain
- एफईटी सुविधा:Logic Level Gate
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):30V, 8V
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:12A, 8A
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:17mOhm @ 10A, 10V
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:2V @ 250µA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:25nC @ 10V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:805pF @ 15V
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:REACH is not affected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SI4501BDY-T1-GE3 द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
NYSE (VSH) पर सूचीबद्ध फॉर्च्यून 1000 कंपनी, Vishay Intertechnology, Inc., असतत अर्धचालकों (डायोड, रेक्टिफायर, MOSFETs, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और चयनित IC) और निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटकों (प्रतिरोधक, प्रेरक और संधारित्र) के दुनिया के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक है। इन घटकों का उपयोग औद्योगिक, कंप्यूटिंग, ऑटोमोटिव, उपभोक्ता, दूरसंचार, सैन्य, एयरोस्पेस, बिजली आपूर्ति और चिकित्सा बाजारों में लगभग सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और उपकरणों में किया जाता है। Vishay के उत्पाद नवाचारों, सफल अधिग्रहण रणनीति और "वन-स्टॉप शॉप" सेवा ने इसे वैश्विक उद्योग का नेता बना दिया है।
Vishay संबंधित उत्पादक
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