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Vishay SI5511DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
उत्पादक मॉडल :SI5511DC-T1-GE3
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :SI5511DC-T1-GE3-DS
दस्तावेज़ :
SI5511DC-T1-GE3 दस्तावेज़
SI5511DC-T1-GE3 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
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SI5511DC-T1-GE3 सूचना
Vishay SI5511DC-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SMD, Flat Lead
- パワー - 最大:3.1W, 2.6W
- サプライヤーデバイスパッケージ:1206-8 ChipFET™
- F E Tタイプ:N and P-Channel
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A, 3.6A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:55mOhm @ 4.8A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:7.1nC @ 5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:435pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
SI5511DC-T1-GE3 द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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