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Vishay SI5920DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
उत्पादक मॉडल :SI5920DC-T1-GE3
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :SI5920DC-T1-GE3-DS
दस्तावेज़ :
SI5920DC-T1-GE3 दस्तावेज़
SI5920DC-T1-GE3 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
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| मात्रा | मापक | कुल |
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SI5920DC-T1-GE3 सूचना
Vishay SI5920DC-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:8-SMD, Flat Lead
- शक्ति - अधिकतम:3.12W
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:1206-8 ChipFET™
- एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
- एफईटी सुविधा:Logic Level Gate
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):8V
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:4A
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:32mOhm @ 6.8A, 4.5V
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:1V @ 250µA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:12nC @ 5V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:680pF @ 4V
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
- यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
SI5920DC-T1-GE3 द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
NYSE (VSH) पर सूचीबद्ध फॉर्च्यून 1000 कंपनी, Vishay Intertechnology, Inc., असतत अर्धचालकों (डायोड, रेक्टिफायर, MOSFETs, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और चयनित IC) और निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटकों (प्रतिरोधक, प्रेरक और संधारित्र) के दुनिया के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक है। इन घटकों का उपयोग औद्योगिक, कंप्यूटिंग, ऑटोमोटिव, उपभोक्ता, दूरसंचार, सैन्य, एयरोस्पेस, बिजली आपूर्ति और चिकित्सा बाजारों में लगभग सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और उपकरणों में किया जाता है। Vishay के उत्पाद नवाचारों, सफल अधिग्रहण रणनीति और "वन-स्टॉप शॉप" सेवा ने इसे वैश्विक उद्योग का नेता बना दिया है।
Vishay संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
