Vishay SI8429DB-T1-E1
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MOQ: 1
5 つの価格帯
- メーカー品番 :SI8429DB-T1-E1
- メーカーです :Vishay
- Dasenic # :SI8429DB-T1-E1-DS
- ドキュメント : SI8429DB-T1-E1 ドキュメント PDF
- 説明する : MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
- パッケージ :-
- 単価: $1.4130合計: $1.41
| 数量 | 単価 | 節約 |
|---|---|---|
| 1-1 | $1.4130 | - |
| 2-10 | $0.8928 | 36.8% 節約 |
| 11-100 | $0.5953 | 57.9% 節約 |
| 101-500 | $0.4677 | 66.9% 節約 |
| 501-1000 | $0.4266 | 69.8% 節約 |
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Vishay SI8429DB-T1-E1 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:4-XFBGA, CSPBGA
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:4-Microfoot
消費電力（最大）:2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
F E Tタイプ:P-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):8 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id:800mV @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:26 nC @ 5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1640 pF @ 4 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.2V, 4.5V
Vgs (最大):±5V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SI8429DB-T1-E1 は Vishay によって提供されています
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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評価とレビュー
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