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Vishay SIZ904DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
उत्पादक मॉडल :SIZ904DT-T1-GE3
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :SIZ904DT-T1-GE3-DS
दस्तावेज़ :
SIZ904DT-T1-GE3 दस्तावेज़
SIZ904DT-T1-GE3 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
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| मात्रा | मापक | कुल |
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SIZ904DT-T1-GE3 सूचना
Vishay SIZ904DT-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:6-PowerPair™
- शक्ति - अधिकतम:20W, 33W
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:6-PowerPair™
- एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Half Bridge)
- एफईटी सुविधा:Logic Level Gate
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):30V
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:12A, 16A
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:24mOhm @ 7.8A, 10V
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.5V @ 250µA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:12nC @ 10V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:435pF @ 15V
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.29.0095
- पहुंच स्थिति:REACH is not affected
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIZ904DT-T1-GE3 द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
NYSE (VSH) पर सूचीबद्ध फॉर्च्यून 1000 कंपनी, Vishay Intertechnology, Inc., असतत अर्धचालकों (डायोड, रेक्टिफायर, MOSFETs, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और चयनित IC) और निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटकों (प्रतिरोधक, प्रेरक और संधारित्र) के दुनिया के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक है। इन घटकों का उपयोग औद्योगिक, कंप्यूटिंग, ऑटोमोटिव, उपभोक्ता, दूरसंचार, सैन्य, एयरोस्पेस, बिजली आपूर्ति और चिकित्सा बाजारों में लगभग सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और उपकरणों में किया जाता है। Vishay के उत्पाद नवाचारों, सफल अधिग्रहण रणनीति और "वन-स्टॉप शॉप" सेवा ने इसे वैश्विक उद्योग का नेता बना दिया है।
Vishay संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
