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WeEn Semiconductors NXPSC166506Q
SILICON CARBIDE POWER DIODE
उत्पादक मॉडल :NXPSC166506Q
उत्पादक :WeEn Semiconductors
Dasenic मॉडल :NXPSC166506Q-DS
दस्तावेज़ :
NXPSC166506Q दस्तावेज़
NXPSC166506Q दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : SILICON CARBIDE POWER DIODE
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 5.7150 | $ 5.72 |
| 10+ | $ 4.8951 | $ 48.95 |
| 100+ | $ 4.0796 | $ 407.96 |
| 500+ | $ 3.5996 | $ 1799.8 |
| 1000+ | $ 3.2397 | $ 3239.7 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 9009
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 5.715
कुल :$ 5.71
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NXPSC166506Q सूचना
WeEn Semiconductors NXPSC166506Q तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AC
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):16A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 16 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 µA @ 650 V
- 静電容量 @ Vr、 F:534pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:175°C (Max)
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NXPSC166506Q द्वारा उपलब्ध कराया गया WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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